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BSO615N G 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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BSO615N G詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET DUAL N-CH 60V 2.6A 8-SOIC
系列:SIPMOS®
制造商:Infineon Technologies
FET型:2 個 N 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:2.6A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:150 毫歐 @ 2.6A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 20µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:380pF @ 25V
功率_最大:2W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:PG-DSO-8
包裝:帶卷 (TR)

BSO615N G詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET DUAL N-CH 60V 2.6A 8-SOIC
系列:SIPMOS®
制造商:Infineon Technologies
FET型:2 個 N 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:2.6A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:150 毫歐 @ 2.6A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 20µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:380pF @ 25V
功率_最大:2W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:PG-DSO-8
包裝:剪切帶 (CT)

BSO615N G詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET DUAL N-CH 60V 2.6A 8-SOIC
系列:SIPMOS®
制造商:Infineon Technologies
FET型:2 個 N 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:2.6A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:150 毫歐 @ 2.6A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 20µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:380pF @ 25V
功率_最大:2W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:PG-DSO-8
包裝:Digi-Reel®

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